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参数资料
| 型号： | HMC311LP3E |
| 厂商： | Hittite Microwave Corporation |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GAIN BLOCK AMP 16QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 0Hz ~ 6GHz |
| P1dB： | 13dBm |
| 增益： | 14dB |
| 噪音数据： | 4.5dB |
| RF 型： | 通用 |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 74mA |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1127-1017-6 |
HMC311LP3 / 311LP3E
v05.1213
InGaP HBT GAIN BLOCK
MMIC AMPLIFIER, DC - 6 GHz
Pin Descriptions
Pin Number
1, 2, 4 - 9,
11 - 16
3
10
Function
N/C
RFIN
RFOUT
GND
Description
This pin may be connected to RF ground.
This pin is DC coupled.
An off chip DC blocking capacitor is required.
RF output and DC Bias for the output stage.
Package bottom must be connected to RF/DC ground.
Interface Schematic
Application Circuit
Note:
1. Select Rbias to achieve Icq using equation below,
R bias > 22 Ohm.
2. External blocking capacitors are required on
RFIN and RFOUT.
Icq = Vs - 3.8
Rbias
Recommended Component Values
Component
50
900
1900
Frequency (MHz)
2200 2400
3500
5200
5800
L1
C1, C2
270 nH
0.01 μF
56 nH
100 pF
18 nH
100 pF
18 nH
100 pF
15 nH
100 pF
8.2 nH
100 pF
3.3 nH
100 pF
3.3 nH
100 pF
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 2 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824
5
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HMC311LP3ETR | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC GAIN BLOCK AMP 16QFN |
| HMC311SC70 | 制造商:HITTITE 制造商全称:Hittite Microwave Corporation 功能描述:InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 8 GHz |
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| HMC311SC70ETR | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC GAIN BLOCK AMP SC70 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:HMC311 Series DC - 8 GHz InGaP HBT Gain Block MMIC Amplifier - SC70-6 |
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