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参数资料
| 型号： | HMC311ST89E |
| 厂商： | Hittite Microwave Corporation |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GAIN BLOCK AMP SOT89 |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 0Hz ~ 6GHz |
| P1dB： | 13dBm |
| 增益： | 14.5dB |
| 噪音数据： | 5dB |
| RF 型： | 通用 |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 74mA |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1127-1019-6 |
HMC311ST89 / 311ST89E
P1dB vs. Temperature
v03.0710
InGaP HBT GAIN BLOCK
MMIC AMPLIFIER, DC - 6 GHz
Psat vs. Temperature
8
18
16
14
12
18
16
14
12
10
8
6
4
+25 C
+85 C
-40 C
10
8
6
4
+25 C
+85 C
-40 C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
FREQUENCY (GHz)
Power Compression @ 1 GHz
18
16
14
12
FREQUENCY (GHz)
Power Compression @ 6 GHz
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
Pout
Gain
PAE
10
8
6
4
2
0
-2
-4
Pout
Gain
PAE
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
-6
-4
-2
0
2
4
6
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
-6
-4
-2
0
2
4
6
INPUT POWER (dBm)
Output IP3 vs. Temperature
INPUT POWER (dBm)
Gain, Power, OIP3 & Supply Current vs.
Supply Voltage @ 1 GHz
34
30
40
35
30
80
70
60
26
22
25
20
Gain
P1dB
Psat
IP3
50
40
18
+25 C
+85 C
-40 C
15
30
14
10
Icq
20
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
5
4.5
4.75
5
5.25
10
5.5
FREQUENCY (GHz)
Vs (Vdc)
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824
8 - 22
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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