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参数资料
| 型号： | HMC635 |
| 厂商： | HITTITE MICROWAVE CORP |
| 元件分类： | 放大器 |
| 英文描述： | 18000 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| 封装： | 1.95 X 0.84 MM, 0.10 MM HEIGHT, DIE-8 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | HMC635 |
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A
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IP
2
2 - 61
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage
(Vdd1, Vdd2, Vdd3, Vdd4)
+5.5 Vdc
Gate Bias Voltage (Vgg1,Vgg2)
-3 to 0 Vdc
RF Input Power (RFIN)(Vdd = +5 Vdc)
15 dBm
Channel Temperature
175 °C
Continuous Pdiss (T= 85 °C)
(derate 16.16 mW/°C above 85 °C)
1.45 W
Thermal Resistance
(channel to die bottom)
61.87 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-55 to +85 °C
Vdd (V)
Idd (mA)
4.5
277
5.0
280
5.5
286
Note: Amplifier will operate over full voltage ranges shown above
Typical Supply Current vs. Vdd
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
HMC635
v00.1107
GaAs PHEMT MMIC DRIVER
AMPLIFIER, 18 - 40 GHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMC636ST89E | 200 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
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| HMC643LC5 | 9000 MHz - 12000 MHz, 360 deg RF/MICROWAVE DIGITALLY CONTROLLED PH SHFTR |
| HMC644LC5 | 15000 MHz - 18500 MHz, 360 deg RF/MICROWAVE DIGITALLY CONTROLLED PH SHFTR |
| HMC644 | 15000 MHz - 18500 MHz, 0 deg - 360 deg RF/MICROWAVE DIGITALLY CONTROLLED PH SHFTR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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