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参数资料
| 型号： | HMC635 |
| 厂商： | HITTITE MICROWAVE CORP |
| 元件分类： | 放大器 |
| 英文描述： | 18000 MHz - 40000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| 封装： | 1.95 X 0.84 MM, 0.10 MM HEIGHT, DIE-8 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | HMC635 |
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BL
OC
K
A
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P
L
IF
IE
R
S
-
C
H
IP
2
2 - 63
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com
Pad Descriptions
Pad Number
Function
Description
Interface Schematic
1RFIN
This pad is AC coupled
and matched to 50 Ohms.
2, 3, 4, 5
Vdd1, Vdd2, Vdd3,
Vdd4
Power Supply Voltage for the amplifier. See assembly
diagram for required external components.
6RFOUT
This pad is AC coupled
and matched to 50 Ohms.
7, 8
Vgg2, Vgg1
Gate control for amplifier, please follow “MMIC Amplifier
Biasing Procedure” application note. See assembly dia-
gram for required external components.
Die Bottom
GND
Die bottom must be connected to RF/DC ground.
HMC635
v00.1107
GaAs PHEMT MMIC DRIVER
AMPLIFIER, 18 - 40 GHz
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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