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参数资料
| 型号： | HMC636ST89E |
| 厂商： | HITTITE MICROWAVE CORP |
| 元件分类： | 放大器 |
| 英文描述： | 200 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-89, SMT, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 651K |
| 代理商： | HMC636ST89E |
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824
Phone: 978-250-3343
Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
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T
power Compression @ 2200 MHz
p1dB vs. Temperature
psat vs. Temperature
Output ip3 vs. input Tone power
power Compression @ 850 MHz
Gain, power, Output ip3 & Supply Current
vs. Supply Voltage @ 850 MHz
HMC636ST89 / 636ST89E
v02.0311
GaAs pHEMT HiGH LinEAriTy
Gain Block, 0.2 - 4.0 GHz
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
+25C
+85C
-40C
P1dB
(dBm)
FREQUENCY (GHz)
0
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15
20
25
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+25C
+85C
-40C
Psat
(dBm)
FREQUENCY (GHz)
-8
-4
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Pout
Gain
PAE
P
ou
t(
dB
m
),
G
A
IN
(d
B
),
P
A
E
(%
)
INPUT POWER (dBm)
-8
-4
0
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8
12
16
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24
28
32
-20
-16
-12
-8
-4
0
4
8
12
16
Pout
Gain
PAE
P
ou
t(
dB
m
),
G
A
IN
(d
B
),
P
A
E
(%
)
INPUT POWER (dBm)
20
25
30
35
40
45
0
1
2
3
4
0 dBm
+ 5 dBm
+10 dBm
IP3
(dBm
)
FREQUENCY (GHz)
10
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50
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40
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80
100
120
140
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4.5
4.75
5
5.25
5.5
Is
Gain
P1dB
Psat
OIP3
G
A
IN
(d
B
),
P
1d
B
(d
B
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),
Psat
(dBm),
IP3
(dBm)
Is
(m
A
)
Vs (Vdc)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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