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参数资料
| 型号： | HMC849LP4CE |
| 厂商： | Hittite Microwave Corporation |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SW GASS PHEMT SPDT 16QFN |
| 标准包装： | 1 |
| RF 型： | 通用 |
| 频率： | 0Hz ~ 6GHz |
| 特点： | SPDT |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN（4x4） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1127-1072-6 |
HMC849LP4CE
v04.0613
HIGH ISOLATION SPDT
NON-REFLECTIVE SWITCH, DC - 6 GHz
Absolute Maximum Ratings
Bias Voltage & Current
Bias Voltage (Vdd)
Control Voltage (Vctl, EN)
RF Input Power *
Through Path 3V/5V
7V
-1V to Vdd +1V
30.60 / 33 dBm
Vdd
(V)
3
5
Idd (Typ.)
(mA)
0.80
0.85
Termination Path 3V/5V
Channel Temperature
Continuous Pdiss (T = 85 °C)
26.4 dBm
150 °C
Digital Control Voltages
(derate 17.6 mW/°C for through path, and
6.8 mW/°C for termination path above 85 °C)
State
Bias Condition
Thermal Resistance
Through Path
Termination Path
1.144 W
0.441 W
Low
High
0 to +0.8 Vdc @ <1 μA Typical
+2.0 to +5.0 Vdc @ 30 μA Typical
(channel to package bottom)
Through Path
56.8 °C/W
Termination Path
147.3 °C/W
Truth Table
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Control Input
Signal Path State
Operating Temperature
ESD Sensitivity (HBM)
-40 to +85 °C
Class 1A
Vctl
Low
EN
Low
RFC - RF1
OFF
RFC - RF2
ON
* The RF input power is quite lower than the breakdown
power levels. Hence, the only concern with this product
is the thermal limit.
High
Low
High
Low
High
High
ON
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 2 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
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