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参数资料
| 型号： | HMC920LP5E |
| 厂商： | Hittite Microwave Corporation |
| 文件页数： | 5/26页 |
| 文件大小： | 1291K |
| 描述： | IC CTRLR ACTIVE BIAS 32QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 有源偏压控制器 |
| 输入电压： | 5 V ~ 16.5 V |
| 电流 - 输出： | 500mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-QFN（5x5） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1127-1077-6 |
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
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13 - 5
13
HMC920LP5E
v07.1013
ACTIVE BIAS CONTROLLER
Power Up Waveform
VDIG Load Transient
VNEG Load Transient
Power Down Waveform
VDRAIN Load Transient
VDOCC Load Transient
6V
6V
3.5V
A
B
0V
-2.5V
0mA
0mA
0mA
C
0V
D
0V
0mA
B
B
B
0V
0V
C
D
B
A
A
A
0V
A
B
A
A
VDRAIN, 500 mV/div
B
IDRAIN, 100 mA/div
A
LDOCC, 200 mV/div
B
IDRAIN, 100 mA/div
A
VDIG, 50 mV/div
B
IDIG, 20 mA/div
A
Vdd, 5V/div
C
VGATE, 1V/div
B
VDRAIN, 5V/div
D
VNEG, 1V/div
A
Vdd, 5V/div
C
VGATE, 1V/div
B
VDRAIN, 5V/div
D
VNEG, 1V/div
A
VNEG, 50 mV/div
B
INEG, 5 mA/div
20 us/div
500 us/div
5 ms/div
20 us/div
1 ms/div
10 ms/div
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HMC920LP5ETR | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC CTRLR ACTIVE BIAS 32QFN |
| HMC921LP4E | 功能描述:IC AMP MMIC GASS 24QFN RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 频率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音数据:1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 电源电压:2.7 V ~ 5 V 电流 - 电源:60mA 测试频率:2GHz 封装/外壳:0505（1412 公制） 包装:带卷 (TR) |
| HMC921LP4ETR | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC AMP MMIC GASS 24QFN |
| HMC922LP4E | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC MMIC SWITCH SPDT DIFF 24-QFN |
| HMC922LP4ETR | 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:HMC922 Series DC - 4.0 GHz Non-Reflective Differential SPDT Switch - QFN-24 |
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