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参数资料
| 型号： | HMMC-5620 |
| 英文描述： | 6-20 GHz Wideband GaAs MMIC Amplifier(6-20 GHz宽带砷化镓单片微波集成电路放大器) |
| 中文描述： | 6-20千兆赫宽带GaAs MMIC放大器（6-20千兆赫宽带砷化镓单片微波集成电路放大器） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | HMMC-5620 |
4
Figure 2. HMMC-5620 Bonding Pad Locations.
Figure 3. HMMC-5620 Assembly Diagram. ( For 6.0 – 20.0 GHz Operation)
L
≥
2 nH
(1.0 mil Gold Wire Bond
with length
≥
100 mils)
Gold Plated Shim
68 pF Chip Capacitor
Input and Output Thin Film
Circuits with 50 ohm transmission
lines. (2 places)
2.0 mil
nom. gap
RF IN
V
DD
RF OUT
Notes:
All dimensions in microns.
RF Pad Dim: 80 x 80
μ
m.
V
DD
Pad Dim: 110 x 90
μ
m
All other dimensions:
±
5
μ
m
(unless otherwise noted).
Chip thickness: 127
±
15
μ
m.
RF
Input
Chip ID No.
RF
Output
1010
(
±
10)
1410
(
±
10)
V
DD
875 (V
DD
Pad)
1325
(RF Output Pad)
85
(RF Input Pad)
910 (Center of V
DD
Pad)
350
350
0
0
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