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参数资料
| 型号： | HMN1M8DV-150I |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Non-Volatile SRAM MODULE 8Mbit (1024k x 8bit) 36Pin-DIP, 3.3V |
| 中文描述： | 非易失性SRAM模块8Mbit（1024k × 8位）36Pin浸，3.3 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | HMN1M8DV-150I |
HANBit
HMN1M8DV
URL:www.hbe.co.kr
6
HANBit Electronics Co.,Ltd
Rev.0.0
(FEBRUARY/ 2002)
POWER-DOWN/POWER-UP CYCLE
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V
PFD
(max) to V
PFD
(min) V
CC
Fail Time
t
F
300
-
-
μ
s
V
PFD
(max) to V
SS
V
CC
Fail Time
t
FB
150
-
-
μ
s
V
PFD
(max) to V
PFD
(min) V
CC
Rise Time
t
R
10
-
-
μ
s
Write Protect Time
t
WPT
Delay after Vcc slews down
past V
PFD
before SRAM is
Write-protected.
40
250
μ
s
Chip Enable Recovery
t
CER
40
-
120
ms
V
SS
to V
PFD
(min) V
CC
Rise Time
t
RB
1
-
-
μ
s
TIMING WAVEFORM
- READ CYCLE NO.1 (Address Access)*
1,2
- READ CYCLE NO.2 (/CE Access)
*1,3,4
Address
D
OUT
Data Valid
t
OH
t
ACC
t
RC
Previous Data Valid
t
ACE
t
CLZ
t
RC
t
CHZ
/CE
High-Z
High-Z
D
OUT
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PDF描述 |
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