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参数资料
| 型号： | HSMS-2800-TR2 |
| 厂商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SILICON, MIXER DIODE |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | HSMS-2800-TR2 |
4
Typical Performance, T
C = 25
°C (unless otherwise noted), Single Diode
0
0.1
0.3
0.2
0.5 0.6
0.4
0.8
0.7
0.9
I F
–
FORWARD
CURRENT
(mA)
VF – FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 1. Forward Current vs.
Forward Voltage at Temperatures.
0.01
10
1
0.1
100
T
A = +125°C
T
A = +75°C
T
A = +25°C
T
A = –25°C
Figure 2. Reverse Current vs.
Reverse Voltage at Temperatures.
010
20
30
50
40
I R
–
REVERSE
CURRENT
(nA)
VR – REVERSE VOLTAGE (V)
1
1000
100
10
100,000
10,000
T
A = +125°C
T
A = +75°C
T
A = +25°C
Figure 3. Dynamic Resistance vs.
Forward Current.
0.1
1
100
R
D
–
DYNAMIC
RESISTANCE
(
)
IF – FORWARD CURRENT (mA)
10
1
10
1000
100
Figure 4. Total Capacitance vs.
Reverse Voltage.
010
20
30
50
40
C
T
–
CAPACITANCE
(pF)
VR – REVERSE VOLTAGE (V)
0
1.5
1
0.5
2
VF - FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 5. Typical Vf Match, Pairs and
Quads.
30
10
1
0.3
30
10
1
0.3
I F
-
FORWARD
CURRENT
(mA)
V
F
-
FORWARD
VOLTAGE
DIFFERENCE
(mV)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IF (Left Scale)
V
F (Right Scale)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSMS-280E-BLKG | SILICON, MIXER DIODE |
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| HSMS-2862L31 | SILICON, MIXER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HSMS-2802 | 制造商:Avago Technologies 功能描述:DIODE SCHOTTKY RF DUAL SOT-23 |
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| HSMS-2802-TR1 | 制造商:Agilent Technologies 功能描述: |
| HSMS-2802-TR1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 70 VBR 2 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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