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参数资料
| 型号： | HSMS-281E-TR2 |
| 厂商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, MIXER DIODE |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | HSMS-281E-TR2 |
4
Typical Performance, T
C = 25
°C (unless otherwise noted), Single Diode
Figure 1. Forward Current vs.
Forward Voltage at Temperatures.
0
0.1
0.3
0.2
0.5 0.6
0.4
0.8
0.7
I F
–
FORWARD
CURRENT
(mA)
VF – FORWARD VOLTAGE (V)
0.01
10
1
0.1
100
T
A = +125°C
T
A = +75°C
T
A = +25°C
T
A = –25°C
Figure 2. Reverse Current vs.
Reverse Voltage at Temperatures.
05
15
I R
–
REVERSE
CURRENT
(nA)
VR – REVERSE VOLTAGE (V)
10
1
1000
100
10
100,000
10,000
T
A = +125°C
T
A = +75°C
T
A = +25°C
Figure 3. Dynamic Resistance vs.
Forward Current.
0.1
1
100
R
D
–
DYNAMIC
RESISTANCE
(
)
IF – FORWARD CURRENT (mA)
10
1
10
1000
100
Figure 4. Total Capacitance vs.
Reverse Voltage.
02
6
410
12
816
14
C
T
–
CAPACITANCE
(pF)
VR – REVERSE VOLTAGE (V)
0
0.75
0.50
0.25
1.25
1
VF - FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 5. Typical Vf Match, Pairs and
Quads.
30
10
1
0.3
30
10
1
0.3
I F
-
FORWARD
CURRENT
(mA)
V
F
-
FORWARD
VOLTAGE
DIFFERENCE
(mV)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IF (Left Scale)
V
F (Right Scale)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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