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参数资料
| 型号： | HUF75631S3S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
HUF75631S3S
SPICE Thermal Model
REV 26 July 1999
HUF75631T
CTHERM1 th 6 2.60e-3
CTHERM2 6 5 8.85e-3
CTHERM3 5 4 7.60e-3
CTHERM4 4 3 7.65e-3
CTHERM5 3 2 1.22e-2
CTHERM6 2 tl 8.70e-2
RTHERM1 th 6 9.00e-3
RTHERM2 6 5 1.80e-2
RTHERM3 5 4 9.15e-2
RTHERM4 4 3 2.43e-1
RTHERM5 3 2 3.10e-1
RTHERM6 2 tl 3.21e-1
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
th
6
5
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUF75631T
4
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 2.60e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 8.85e-3
ctherm.ctherm3 5 4 = 7.60e-3
ctherm.ctherm4 4 3 = 7.65e-3
ctherm.ctherm5 3 2 = 1.22e-2
ctherm.ctherm6 2 tl = 8.70e-2
rtherm.rtherm1 th 6 = 9.00e-3
rtherm.rtherm2 6 5 = 1.80e-2
rtherm.rtherm3 5 4 = 9.15e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 2.43e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 3.10e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 3.21e-1
}
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
3
2
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
tl
CASE
HUF75631S3S Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AU-54.000MBE-T | OSCILLATOR 54MHZ 3.3V |
| HUFA76429S3ST | MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK |
| 3310H-001-203L | POT 20K OHM 9MM SQ PLASTIC |
| 3310H-001-202L | POT 2.0K OHM 9MM SQ PLASTIC |
| AU-48.000MBE-T | OSCILLATOR 48MHZ 3.3V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75631S3ST | 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75631SK8 | 功能描述:MOSFET USE 512-FDS3682 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75631SK8T | 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75631SK8T_NB82083 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75637P3 | 功能描述:MOSFET 44a 100V 0.030 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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