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参数资料
| 型号： | HUF75639G3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 56A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 56A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 56A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | HUF75639G3-ND HUF75639G3FS |
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3
Spice Thermal Model
REV APRIL 1998
HUF75639
CTHERM1 TH 6 2.8e-3
CTHERM2 6 5 4.6e-3
CTHERM3 5 4 5.5e-3
CTHERM4 4 3 9.2e-3
CTHERM5 3 2 1.7e-2
CTHERM6 2 TL 4.3e-2
RTHERM1 TH 6 5.0e-4
RTHERM2 6 5 1.5e-3
RTHERM3 5 4 2.0e-2
RTHERM4 4 3 9.0e-2
RTHERM5 3 2 1.9e-1
RTHERM6 2 TL 2.9e-1
Saber Thermal Model
Saber thermal model HUF75639
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 2.8e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 4.6e-3
ctherm.ctherm3 5 4 = 5.5e-3
ctherm.ctherm4 4 3 = 9.2e-3
ctherm.ctherm5 3 2 = 1.7e-2
ctherm.ctherm6 2 tl = 4.3e-2
rtherm.rtherm1 th 6 = 5.0e-4
rtherm.rtherm2 6 5 = 1.5e-3
rtherm.rtherm3 5 4 = 2.0e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 9.0e-2
rtherm.rtherm5 3 2 = 1.9e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 2.9e-1
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
TH
6
5
4
3
2
TL
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
CASE
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D2VW-01L02A-1MS | MINIATURE BASIC SWITCH |
| SF14-1575F5UU15 | FILTER SAW 1.57542GHZ SMD |
| Z-15GQ8 | BASIC SWITCH |
| UPG2250T5N-E2-A | IC AMP BLUETOOTH 6-TSON |
| TC32V3A32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 1.5V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75639G3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| HUF75639G3_Q | 功能描述:MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75639P3 | 功能描述:MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75639P3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFETN CH100V56ATO-220AB 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET,N CH,100V,56A,TO-220AB |
| HUF75639P3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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