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参数资料
| 型号： | HUF75639S3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 56A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 56A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | HUF75639S3STDKR |
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3
SABER Electrical Model
nom temp=25 deg c 100v Ultrafet
REV Oct. 98
template huf75639 n2,n1,n3
electrical n2,n1,n3
{
var i iscl
d..model dbodymod = (is=1.4e-12, xti=4.7, cjo=33e-10,tt=6.1e-8, m=0.7)
d..model dbreakmod = ()
10
DPLCAP
5
LDRAIN
DRAIN
2
d..model dplcapmod = (cjo=22e-10,is=1e-30,n=10,m=0.95, vj=1.0)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=3.5,kp=4.8,is=1e-30, tox=1)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=3.97,kp=56.5,is=1e-30, tox=1)
m..model mweakmod = (type=_n,vto=3.11,kp=0.085,is=1e-30, tox=1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-6.0,voff=-3.5)
RSLC2
RSLC1
51
ISCL
RDBREAK
72
RLDRAIN
RDBODY
-
c.ca n12 n8 = 28.5e-10
RGATE +
18 -
d.dbody n7 n71 = model=dbodymod
22
d.dbreak n72 n11 = model=dbreakmod
d.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-3.5,voff=-6.0)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-2.5,voff=4.95)
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=4.95,voff=-2.5)
c.cb n15 n14 = 26.5e-10
c.cin n6 n8 = 19e-10 LGATE EVTEMP
GATE
1
9 20
RLGATE
i.it n8 n17 = 1
ESG
+
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
CIN
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
MWEAK
EBREAK
+
17
18
-
7
71
DBODY
LSOURCE
SOURCE
3
l.ldrain n2 n5 = 2.0e-9
l.lgate n1 n9 = 1e-9
l.lsource n3 n7 = 4.69e-10
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u
12
S1A
13
8
S2A
14
13
15
RSOURCE
RBREAK
17
RLSOURCE
18
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=0.8e-3,tc2=-1e-6
CA
S1B
13
+
S2B
CB
+
14
IT
RVTEMP
19
-
res.rdbody n71 n5 = 3.3e-3, tc1=2.0e-3, tc2=0.1e-5
res.rdbreak n72 n5 = 3.5e-1, tc1=1e-3, tc2=1e-6
res.rdrain n50 n16 = 13e-3, tc1=1e-2,tc2=1.75e-5
res.rgate n9 n20 = 0.7
EGS
-
6
8
EDS
-
5
8
8
+
22
VBAT
res.rldrain n2 n5 = 20
res.rlgate n1 n9 = 10
res.rlsource n3 n7 = 4.69
res.rslc1 n5 n51 = 1e-6, tc1=2.8e-3,tc2=14e-6
res.rslc2 n5 n50 = 1e3
res.rsource n8 n7 = 4.5e-3, tc1=0,tc2=0
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-2.75e-3,tc2=0.05e-9
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-2e-3,tc2=-1.75e-5
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 110
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/115))** 4))
}
}
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
RVTHRES
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 609-1322-120F | LED PNL MT 9MM 6V BLACK YELLOW |
| KD3270043 | OSCILLATOR 32.768 KHZ SMD |
| A01PE | INDICATOR LOW PRO STR YELLOW LED |
| A01PC | INDICATOR LOW PRO STR RED LED |
| A01PF | INDICATOR SW LOPRO STRAIGHT GRN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75639S3ST_Q | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75639S3ST_S2515 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75639S3STNL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75645P3 | 功能描述:MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75645P3_Q | 功能描述:MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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