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参数资料
| 型号： | HUF75645S3S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 238nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3790pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
HUF75645P3, HUF75645S3S
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
V GS
R L
+
V DD
V DS
Q g(10)
Q g(TOT)
V GS = 20V
I g(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 2V
Q g(TH)
Q gs
Q gd
V GS = 10V
I g(REF)
0
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORMS
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 19. SWITCHING TIME WAVEFORM
HUF75645P3, HUF75645S3S Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75645S3ST | 功能描述:MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75645S3ST_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75645S3ST_Q | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HUF75652G3 | 功能描述:MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75652G3_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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