型号: | HUF75829D3S |
厂商: | INTERSIL CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFET(18A, 150V, 0.110Ω N沟道逻辑电平功率MOS场效应管) |
中文描述: | 18 A, 150 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
文件页数: | 2/9页 |
文件大小: | 122K |
代理商: | HUF75829D3S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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HUF76105DK8 | 5A, 30V, 0.050 Ohm, Dual N-Channel,Logic Level UltraFET Power MOSFET(5A, 30V, 0.050 Ω,双N沟道,逻辑电平,UltraFET功率MOS场效应管) |
HUF76112SK8 | 7.5A, 30V, 0.006 Ohm, N-Channel Power MOSFET(7.5A, 30V, 0.006 Ω,N沟道功率MOS场效应管) |
HUF76113DK8 | 6A, 30V, 0.032 Ohm, Dual N-Channel,Logic Level UltraFET Power MOSFET(6A, 30V, 0.032 Ω,双N沟道,逻辑电平,UltraFET功率MOS场效应管) |
HUF76113T3ST | 4.7A, 30V, 0.031 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(4.7A, 30V, 0.031 Ω,N沟道,逻辑电平,UltraFET功率MOS场效应管) |
HUF76132P3 | 75A, 30V, 0.011 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs(75A, 30V, 0.011 Ω,N沟道,逻辑电平,UltraFET功率MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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HUF75829D3ST | 功能描述:MOSFET 18a 150V N-Ch 0.110 Ohm UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUF75831SK8 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:3A, 150V, 0.095 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET |
HUF75831SK8T | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUF75842P3 | 功能描述:MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUF75842S3 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |