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参数资料
| 型号： | HUF75842P3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 43A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 175nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2730pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
HUF75842P3
SPICE Thermal Model
REV 13 October 1999
HUF75842T
CTHERM1 th 6 5.20e-3
CTHERM2 6 5 2.40e-2
CTHERM3 5 4 2.00e-2
CTHERM4 4 3 1.80e-2
CTHERM5 3 2 2.40e-2
CTHERM6 2 tl 1.80e-1
RTHERM1 th 6 1.00e-2
RTHERM2 6 5 2.00e-2
RTHERM3 5 4 6.40e-2
RTHERM4 4 3 1.00e-1
RTHERM5 3 2 1.56e-1
RTHERM6 2 tl 1.65e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUF75842T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 5.20e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 2.40e-2
ctherm.ctherm3 5 4 = 2.00e-2
ctherm.ctherm4 4 3 = 1.80e-2
ctherm.ctherm5 3 2 = 2.40e-2
ctherm.ctherm6 2 tl = 1.80e-1
rtherm.rtherm1 th 6 = 1.00e-2
rtherm.rtherm2 6 5 = 2.00e-2
rtherm.rtherm3 5 4 = 6.40e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 1.00e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 1.56e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 1.65e-1
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
th
6
5
4
3
2
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
tl
CASE
HUF75842P3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75852G3 | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 |
| HUF76423P3 | MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB |
| HUF76629D3 | MOSFET N-CH 100V 20A IPAK |
| HUFA75307T3ST | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 |
| HUFA75321D3ST | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75842S3 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75842S3S | 功能描述:MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75842S3ST | 功能描述:MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75852G3 | 功能描述:MOSFET 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75925D3ST | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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