- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录441 > HUFA75307T3ST (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | HUFA75307T3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | HUFA75307T3STDKR |
HUFA75307T3ST
Typical Performance Curves
500
(Continued)
10
400
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
C RSS = C GD
C OSS = C DS + C GD
8
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 2.6A
I D = 1.5A
I D = 0.5A
V DD = 30V
300
200
100
C ISS
C OSS
C RSS
6
4
2
0
0
10
20 30 40 50
60
0
0
2
4
6
8
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Q g , GATE CHARGE (nC)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT
GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
V GS
R L
+
V DD
V DS
Q g(10)
Q g(TOT)
V GS = 20V
I g(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 2V
V GS = 10V
Q g(TH)
I g(REF)
0
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORM
HUFA75307T3ST Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUFA75321D3ST | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
| HUFA75344G3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| HUFA76409D3ST | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| HUFA76419D3ST | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
| HUFA76429D3ST_F085 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUFA75309D3 | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309D3S | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309D3ST | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309P3 | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309T3ST | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。