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参数资料
| 型号： | HUFA75307T3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | HUFA75307T3STDKR |
HUFA75307T3ST
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT HUFA75307T3ST 2 1 3 ;
CA 12 8 3.5e-10
CB 15 14 3.7e-10
rev 7/25/97
LDRAIN
CIN 6 8 2.26e-10
10
DPLCAP
5
DRAIN
2
DBODY 7 5 DBODYMOD
DBREAK 5 11 DBREAKMOD
DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD
RSLC2
RSLC1
51
5
ESLC
51
DBREAK
11
RLDRAIN
EBREAK 11 7 17 18 57.4
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 6 10 6 8 1
EVTHRES 6 21 19 8 1
EVTEMP 20 6 18 22 1
LGATE
-
ESG
+
EVTEMP
6
8
EVTHRES
+ 19 -
8
50
RDRAIN
16
21
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
DBODY
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1e-9
LGATE 1 9 1.4e-9
LSOURCE 3 7 3.1e-10
GATE
1
RLGATE
RGATE +
9 20
18 -
22
6
CIN
MSTRO
8
MMED
7
LSOURCE
SOURCE
3
K1 LGATE LSOURCE 0.131
RSOURCE
RLSOURCE
MMED 16 6 8 8 MMEDMOD
MSTRO 16 6 8 8 MSTROMOD
MWEAK 16 21 8 8 MWEAKMOD
12
S1A
13
8
S2A
14
13
15
17
RBREAK
18
RBREAK 17 18 RBREAKMOD 1
S1B
S2B
RVTEMP
RDRAIN 50 16 RDRAINMOD 7.0e-3
RGATE 9 20 1.9
RLDRAIN 2 5 10
RLGATE 1 9 14
RLSOURCE 3 7 3
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
CA
13
+
EGS
-
6
8
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
19
-
VBAT
+
RSLC2 5 50 1e3
RSOURCE 8 7 RSOURCEMOD 5.6e-2
RVTHRES 22 8 RVTHRESMOD 1
RVTEMP 18 19 RVTEMPMOD 1
RVTHRES
22
S1A
S1B
S2A
S2B
6 12 13 8 S1AMOD
13 12 13 8 S1BMOD
6 15 14 13 S2AMOD
13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*50),3))}
.MODEL DBODYMOD D (IS = 2.6e-13 RS = 2.34e-2 IKF = 5.5 N = 0.995 TRS1 = 2.8e-3 TRS2 = 1.1e-5 CJO = 3.7e-10 TT = 3.5e-8 M = 0.46
+ XTI = 5.5)
.MODEL DBREAKMOD D (RS = 0. 5IKF = 0.1 N = 1 TRS1 = 3e- 3TRS2 = -5e-5)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO = 5.6e-1 0IS = 1e-3 0N = 10 M = 0.92)
.MODEL MMEDMOD NMOS (VTO = 3.25 KP = 1.8 IS = 1e-30 N = 10 TOX = 1 L = 1u W = 1u RG = 1.9)
.MODEL MSTROMOD NMOS (VTO = 3.68 KP = 13.5 IS = 1e-30 N = 10 TOX = 1 L = 1u W = 1u)
.MODEL MWEAKMOD NMOS (VTO = 2.83 KP = 0.03 IS = 1e-30 N = 10 TOX = 1 L = 1u W = 1u RG = 19 RS = 0.1)
.MODEL RBREAKMOD RES (TC1 = 1.08e- 3TC2 = 5e-7)
.MODEL RDRAINMOD RES (TC1 = 1.7e-2 TC2 = 1e-4)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1 = 1e-9 TC2 = 1e-4)
.MODEL RSOURCEMOD RES (TC1 = 3.3e-3 TC2 = 1e-9)
.MODEL RVTHRESMOD RES (TC1 = -1.9e-3 TC2 = -4e-6)
.MODEL RVTEMPMOD RES (TC1 = -2.9e- 3TC2 = 2.2e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON = 1e-5
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON = 1e-5
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON = 1e-5
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON = 1e-5
ROFF = 0.1
ROFF = 0.1
ROFF = 0.1
ROFF = 0.1
VON = -7.1 VOFF= -4)
VON = -4 VOFF= -7.1)
VON = 0.01 VOFF= 1.9)
VON = 1.9 VOFF= 0.01)
.ENDS
NOTE: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank Wheatley.
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA75307T3ST Rev. B
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参数描述 |
|---|---|
| HUFA75309D3 | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309D3S | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309D3ST | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309P3 | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75309T3ST | 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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