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参数资料
| 型号： | HUFA75321D3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 Pkg External Dimension Change 17/Apr/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 93W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HUFA75321D3 ST_F085
Absolute Maximum Ratings
T C = 25 o C, Unless Otherwise Specified
UNITS
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V DSS
Drain to Gate Voltage (R GS = 20k ? ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V DGR
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V GS
Drain Current
Continuous (Figure 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I DM
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E AS
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P D
Derate Above 25 o C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T J , T STG
Maximum Temperature for Soldering
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T L
Package Body for 10s, See Techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T pkg
55
55
± 20
20
Figure 4
Figures 6, 14, 15
93
0.625
-55 to 175
300
260
V
V
V
A
W
W/ o C
o C
o C
o C
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
NOTE:
1. T J = 25 o C to 150 o C.
Electrical Specifications
T C = 25 o C, Unless Otherwise Specified
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
OFF STATE SPECIFICATIONS
Drain to Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
BV DSS
I DSS
I GSS
I D = 250 μ A, V GS = 0V (Figure 11)
V DS = 50V, V GS = 0V
V DS = 45V, V GS = 0V, T C = 150 o C
V GS = ± 20V
55
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
± 100
V
μ A
μ A
nA
ON STATE SPECIFICATIONS
Gate to Source Threshold Voltage
Drain to Source On Resistance
V GS(TH)
r DS(ON)
V GS = V DS , I D = 250 μ A (Figure 10)
I D = 20A, V GS = 10V (Figure 9)
2
-
-
0.030
4
0.036
V
?
THERMAL SPECIFICATIONS
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to Ambient
R θ JC
R θ JA
(Figure 3)
TO-251, TO-252
-
-
-
-
1.6
100
o C/W
o C/W
SWITCHING SPECIFICATIONS (V GS = 10V)
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
t ON
t d(ON)
t r
t d(OFF)
t f
t OFF
V DD = 30V, I D ? 20A,
R L = 1.5 ? , V GS = 10V,
R GS = 25 ?
-
-
-
-
-
-
-
11
55
47
66
-
100
-
-
-
-
170
ns
ns
ns
ns
ns
ns
GATE CHARGE SPECIFICATIONS
Total Gate Charge
Gate Charge at 10V
Threshold Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Reverse Transfer Capacitance
Q g(TOT)
Q g(10)
Q g(TH)
Q gs
Q gd
V GS = 0V to 20V
V GS = 0V to 10V
V GS = 0V to 2V
V DD = 30V,
I D ? 20A,
R L = 1.5 ?
I g(REF) = 1.0mA
(Figure 13)
-
-
-
-
-
36
21
1.3
3
9
44
26
1.6
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
HUF A 75321D3ST_F085 Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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