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参数资料
| 型号： | HUFA75321D3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 Pkg External Dimension Change 17/Apr/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 93W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HUFA75321D3S T_F085
Electrical Specifications
T C = 25 o C, Unless Otherwise Specified
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
CAPACITANCE SPECIFICATIONS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C ISS
C OSS
C RSS
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1MHz
(Figure 12)
-
-
-
680
270
60
-
-
-
pF
pF
pF
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovered Charge
SYMBOL
V SD
t rr
Q RR
TEST CONDITIONS
I SD = 20A
I SD = 20A, dI SD /dt = 100A/ μ s
I SD = 20A, dI SD /dt = 100A/ μ s
MIN
-
-
-
TYP
-
-
-
MAX
1.25
59
82
UNITS
V
ns
nC
Typical Performance Curves
1.2
1.0
25
20
0.8
15
0.6
0.4
0.2
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
2
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
SINGLE PULSE
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
0.01 -5
10
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
HUF A 75321D3ST_F085 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| HUFA75321S3S | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75321S3ST | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75329D3 | 功能描述:MOSFET 55V N-Ch PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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