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参数资料
| 型号： | HUFA75345S3ST |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 55V的五（巴西）直| 75A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 657K |
| 代理商： | HUFA75345S3ST |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA75639S3R4851 Rev. A
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Typical Performance Curves
(Continued)
0.9
1.2
B
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
1.0
1.1
-80
-40
0
40
80
120
160
200
I
D
= 250
μ
A
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
10
20
30
40
50
60
C
ISS
C
RSS
C
OSS
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
Qg, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 56A
I
D
= 37A
I
D
= 18A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
V
DD
= 50V
HUFA75639S3R4851
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUFA75542S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUFA75545S3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| HUM-70J3 | Digital Media System-on-Chip (DMSoC) 338-NFBGA |
| HUM-40F1 | Analog IC |
| HUM-40F2 | Analog IC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUFA75429D3S | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET MOSFETs 60V, 20A, 25mз |
| HUFA75429D3ST | 功能描述:MOSFET N-Ch UltraFET 60V 0.025 Ohm 20a RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75433S3S | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET MOSFETs 60V, 64A, 16mз |
| HUFA75433S3ST | 功能描述:MOSFET 55V 64a 0.016 Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA75531SK8 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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