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参数资料
| 型号： | HUFA76423S3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 35A TO-263AB |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HUFA76432P3, HUFA76432S3S
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 17. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 18. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
V GS
R L
+
V DD
V DS
Q g(5)
Q g(TOT)
V GS = 10V
I g(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 1V
Q g(TH)
Q gs
Q gd
V GS = 5V
I g(REF)
0
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
FIGURE 21. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 22. SWITCHING TIME WAVEFORM
HUFA76432P3, HUFA76432S3S Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GKRA40L6A2-F05-C | SWITCH INTERLOCK 4NC SLOW ACT |
| 7Q-20.800MBS-T | OSC VCTCXO 20.800 MHZ 3.3V SMD |
| 91U1A-T22-B15L | POT 10K OHM 5/8" SQ 1/2W PLAS |
| 91U1A-T22-B13L | POT 5K OHM 5/8" SQ 1/2W PLAS |
| 7Q-20.000MBS-T | OSC VCTCXO 20.000 MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUFA76429D3 | 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA76429D3_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUFA76429D3S | 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA76429D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA76429D3ST_F085 | 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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