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参数资料
| 型号： | HUFA76432S3ST |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 59A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1765pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HUFA76432P3, HUFA76432S3S
SPICE Thermal Model
REV 14 September 1999
HUFA76432
CTHERM1 th 6 2.40e-3
CTHERM2 6 5 8.40e-3
CTHERM3 5 4 9.30e-3
CTHERM4 4 3 9.60e-3
CTHERM5 3 2 1.28e-3
CTHERM6 2 TL 1.07e-1
RTHERM1 TH 6 8.50e-3
RTHERM2 6 5 2.10e-2
RTHERM3 5 4 9.85e-2
RTHERM4 4 3 2.25e-1
RTHERM5 3 2 2.66e-1
RTHERM6 2 tl 2.98e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUFA76432
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 2.40e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 8.40e-3
ctherm.ctherm3 5 4 = 9.30e-3
ctherm.ctherm4 4 3 = 9.60e-3
ctherm.ctherm5 3 2 = 1.28e-3
ctherm.ctherm6 2 tl = 1.07e-1
rtherm.rtherm1 th 6 = 8.50e-3
rtherm.rtherm2 6 5 = 2.10e-2
rtherm.rtherm3 5 4 = 9.85e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 2.25e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 2.66e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 2.98e-1
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
th
6
5
4
3
2
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
tl
CASE
HUFA76432P3, HUFA76432S3S Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HX 50-P | SENSOR CURRENT 50A -/+15V MOD |
| HY 20-P | CURRENT TRANSDUCERS 20A 15V |
| HY 50-P | SENSOR CURRENT 50A -+15V 6PIN |
| HY19-12LF | COUPLER 90DEG 0.88-0.96GHZ 8SOIC |
| HY22-73LF | COUPLER 90DEG 2.1-2.3GHZ SOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUFA76437P3 | 功能描述:MOSFET 64a 60V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA76437S3S | 功能描述:MOSFET 64a 60V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA76437S3ST | 功能描述:MOSFET 64a 60V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA76439P3 | 功能描述:MOSFET 71a 60V 0.014 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUFA76439S3S | 功能描述:MOSFET 71a 60V 0.014 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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