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参数资料
| 型号： | HY29F800ATG-55I |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO44 |
| 封装： | PLASTIC, SOP-44 |
| 文件页数： | 31/40页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | HY29F800ATG-55I |
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31
Rev. 1.1/Feb 02
HY29F800A
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. The system may use CE# or OE# to toggle DQ[2] and DQ[6]. DQ[2] toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21. DQ[2] and DQ[6] Operation
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Sector Protect and Unprotect, Temporary Sector Unprotect
Notes:
1. Not 100% tested.
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VIDR
RY/BY#
WE#
CE#
RESET#
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ID
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RSP
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VIDR
0 or 5V
Figure 22. Temporary Sector Unprotect Timings
Erase
Complete
WE#
DQ[6]
DQ[2]
Enter Automatic
Erase
Erase
Erase
Suspend
Read
Enter Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Suspend
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F800ATG-70 | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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