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参数资料
| 型号： | HY29F800ATT-90 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | TSOP-48 |
| 文件页数： | 30/40页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | HY29F800ATT-90 |
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Rev. 1.1/Feb 02
HY29F800A
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. VA = Valid Address for reading Toggle Bits (DQ2, DQ6) status data (see Write Operation Status section).
2. Illustration shows first two status read cycles after command sequence, last status read cycle and array data read cycle.
Figure 20. Toggle Polling Timings (During Automatic Algorithms)
t
BUSY
t
CH
t
OE
t
CE
t
RC
VA
Complement
Complement
True
Valid Data
Status Data
Status Data
Data
Valid Data
RY/BY#
DQ[6:0]
DQ[7]
WE#
OE#
CE#
Addresses
VA
VA
t
ACC
t
OEH
t
OH
t
DF
Notes:
1. VA = Valid Address for reading Data# Polling status data (see Write Operation Status section).
2. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle and array data read cycle.
Figure 19. Data# Polling Timings (During Automatic Algorithms)
t
BUSY
t
CH
t
OE
t
CE
t
RC
Valid Status
Valid Status
Valid Status
RY/BY#
DQ[6], [2]
WE#
OE#
CE#
Addresses
VA
VA
VA
t
OEH
t
OH
t
DF
VA
(second read)
(first read)
(stops toggling)
Valid Data
t
ACC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F800ATT-90I | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABG-90 | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABG-90I | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABR-12 | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABR-12I | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY29F800ATT-90I | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800BG-12 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F800BG-12E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F800BG-12I | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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