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参数资料
| 型号： | HY29LV320BF-12I |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA63 |
| 封装： | 7 X 11 MM, FBGA-63 |
| 文件页数： | 30/44页 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | HY29LV320BF-12I |
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30
r1.3/May 02
HY29LV320
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
5
10
15
20
Time in ns
S
DC CHARACTERISTICS
Zero Power Flash
Figure 13. I
CC1
Current vs. Time (Showing Active and Automatic Sleep Currents)
Note:
Addresses are switching at 1 MHz.
Figure 14. Typical I
CC1
Current vs. Frequency
Note:
T
A
= 25
°
C.
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
10
Frequency in MHz
S
8
2.7 V
3.6 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY29LV320BF-80 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV320BF-80I | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV320BF-90 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
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