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参数资料
| 型号： | HY29LV320TT-90 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | TSOP-48 |
| 文件页数： | 38/44页 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | HY29LV320TT-90 |
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38
r1.3/May 02
HY29LV320
Notes:
1. The system may use CE# or OE# to toggle DQ[2] and DQ[6]. DQ[2] toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 24. DQ[2] and DQ[6] Operation
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5
1
Sector Protect and Unprotect, Temporary Sector Unprotect
Notes:
1. Not 100% tested.
Figure 25. Temporary Sector Unprotect Timings
Erase
Complete
WE#
DQ[6]
DQ[2]
Enter Automatic
Erase
Erase
Erase
Suspend
Read
Enter Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Suspend
t
VIDR
RY/BY#
WE#
CE#
RESET#
V
ID
0 or 3V
t
RSP
t
VIDR
0 or 3V
AC CHARACTERISTICS
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PDF描述 |
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