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参数资料
| 型号： | HY51V16160HG(HGL) |
| 英文描述： | 1Mx16|3.3V|4K|5/6|FP/EDO DRAM - 16M |
| 中文描述： | 1Mx16 | 3.3 | 4K的| 5 / 6 |计划生育/ EDO公司的DRAM - 1,600 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | HY51V16160HG(HGL) |
HY51V(S)16160HG/HGL
Rev.0.1/Apr.01
9
Fast Page Mode Cycle
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Self Refresh Cycle (L-Version)
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Fast page mode cyle time
tPC
35
-
40
-
45
-
ns
Fast page mode /RAS pulse width
tRASP
-
100K
-
100K
-
100K
ns
16
Access time from /CAS precharge
tACP
-
30
-
35
-
40
ns
9,17,22
/RAS hold time from /CAS precharge
tRHCP
30
-
35
-
40
-
ns
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Fast Page read-modify-write cycle time
tPRWC
76
-
85
-
96
-
ns
Fast page mode read-modify-write cycle
/CAS precharge to /WE delay time
tCPW
53
-
60
-
68
-
ns
14,22
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
/RAS pulse width ( self refresh)
tRASS
100
-
100
-
100
-
us
/RAS precharge time ( self refresh)
tRPS
90
-
110
-
130
-
ns
/CAS hold time ( self refresh)
tCHS
-50
-
-50
-
-50
-
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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