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参数资料
| 型号： | HY57V283220T-6 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | HY57V283220T-6 |
Rev. 0.9 / July 2004
5
HY57V283220(L)T(P) / HY5V22(L)F(P)
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mbit x 4banks x 32 I/O Synchronous DRAM
A1
BA1
Register
Mode Register
Decoder
Decoder
Counter
Row Active
Active
Counter
Data Out Control
CAS Latency
Counter
DQ0
DQ1
DQ30
DQ31
& Timer
Pipe Line Control
Bank Select
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
DQM3
x32 Bank 3
Array
Y decoder
1M x32 Bank 0
1M x32 Bank 1
1M x32 Bank 2
1M
X
S
A0
A11
BA0
A
Address
Row
Pre
Column
Pre
Column Add
Column
Burst
Refresh
Self Refresh Logic
I
S
WE
DQM0
DQM1
DQM2
X
X
Cell
Memory
X
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V283220T-7 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-8 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-H | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-P | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220TP-5 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY57V283220T-7 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-8 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-H | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V283220T-I | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:4Mx32|3.3V|4K|55/6/7/8/P/S|SDR SDRAM - 128M |
| HY57V283220T-P | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
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