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参数资料
| 型号： | HY57V64420HGLTP-S |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | HY57V64420HGLTP-S |
HY57V64420HGTP
Rev. 0.5 / Apr. 2004
5
CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I (TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V)
Note :
1.VIN = 0 to 3.6V, All other pins are not tested under VIN =0V
2.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
CI1
24
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,
CAS, WE, DQM
CI2
2.5
5
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ3
CI/O
26.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
ILI
-1
1
uA
1
Output Leakage Current
ILO
-1
1
uA
2
Output High Voltage
VOH
2.4
-
V
IOH = -4mA
Output Low Voltage
VOL
-0.4
V
IOL = +4mA
Vtt=1.4V
RT=250
50pF
Output
50pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
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PDF描述 |
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