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参数资料
| 型号： | HY5DV281622AT-5 |
| 英文描述： | SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 内存|复员| 4X2MX16 |的CMOS | TSSOP封装| 66PIN |塑料 |
| 文件页数： | 8/27页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | HY5DV281622AT-5 |
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Rev. 0.3/May. 02
8
HY5DV281622AT
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS, /CAS, /WE
LDM
UDM
ADDR
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
L
X
1,2
Data-In Mask
H
X
X
H
H
X
1,2
Lower Byte Write /
Upper Byte-In Mask
H
X
X
L
H
X
1,2
Upper Byte Write /
Lower Byte-In Mask
H
X
X
H
L
X
1,2
Note :
1. Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related with read data.
2. LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15) respectively.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| HY5DV281622DT-5 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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