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参数资料
| 型号： | HY5DV651622T-G6 |
| 英文描述： | DDR Synchronous DRAM |
| 中文描述： | DDR同步DRAM |
| 文件页数： | 8/27页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | HY5DV651622T-G6 |
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Rev. 0.3/May. 02
8
HY5DV281622AT
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS, /CAS, /WE
LDM
UDM
ADDR
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
L
X
1,2
Data-In Mask
H
X
X
H
H
X
1,2
Lower Byte Write /
Upper Byte-In Mask
H
X
X
L
H
X
1,2
Upper Byte Write /
Lower Byte-In Mask
H
X
X
H
L
X
1,2
Note :
1. Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related with read data.
2. LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15) respectively.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV651622T-G7 | DDR Synchronous DRAM |
| HY5PS121623F | 32Mx16|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5PS121623LF | 32Mx16|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5PS12423F | 128Mx4|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| HY5PS12423LF | 128Mx4|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5DV651622T-G7 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DW113222FM | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DW113222FM-2 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DW113222FM-22 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DW113222FM-25 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
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