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参数资料
| 型号： | HY5PS1G831CLFP-E3 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA60 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件页数： | 20/37页 |
| 文件大小： | 539K |
| 代理商： | HY5PS1G831CLFP-E3 |
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Rev. 0.2 / Dec 2006
20
HY5PS1G431C(L)FP
HY5PS1G831C(L)FP
HY5PS1G1631C(L)FP
3.5. Input/ Output Capacitance
4. Electrical Characteristics & AC Timing Specification
( 0
T
CASE
95 ;
V
DDQ
= 1.8 V +/- 0.1V; V
DD
= 1.8V +/- 0.1V)
Refresh Parameters by Device Density
DDR2 SDRAM speed bins and tRCD, tRP and tRC for corresponding bin
Note 1
: 8 bank device Precharge All Allowance : tRP for a Precharge All command for an 8 Bank device will equal to
tRP+1*tCK, where tRP are the values for a single bank
Πρεχηαργε
, which are shown in the table above.
Parameter
Symbol
DDR2 400
DDR2 533
DDR2 667
DDR2 800
Units
Min
Max
Min
Max
Input capacitance, CK and CK
CCK
1.0
2.0
1.0
2.0
pF
Input capacitance delta, CK and CK
CDCK
x
0.25
x
0.25
pF
Input capacitance, all other input-only pins
CI
1.0
2.0
1.0
2.0
pF
Input capacitance delta, all other input-only pins
CDI
x
0.25
x
0.25
pF
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS
CIO
2.5
4.0
2.5
3.5
pF
Input/output capacitance delta, DQ, DM, DQS, DQS
CDIO
x
0.5
x
0.5
pF
Parameter
Symbol
256Mb 512Mb
1Gb
2Gb
4Gb
Units
Refresh to Active/Refresh command
time
tRFC
75
105
127.5
195
327.5
ns
Average periodic refresh interval
tREFI
0
T
CASE
95
7.8
7.8
7.8
7.8
7.8
ns
85
≤…
T
CASE
95
3.9
3.9
3.9
3.9
3.9
ns
Speed
DDR2-800
DDR2-667
DDR2-533
DDR2-400
Units
Bin(CL-tRCD-tRP)
5-5-5
6-6-6
4-4-4
5-5-5
4-4-4
3-3-3
Parameter
min
min
min
min
min
min
CAS Latency
5
6
4
5
4
3
tCK
tRCD
12.5
15
12
15
15
15
ns
tRP
Note1
12.5
15
12
15
15
15
ns
tRAS
45
45
45
45
45
40
ns
tRC
57.5
60
57
60
60
55
ns
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PDF描述 |
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