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参数资料
| 型号： | HY5PS1G831CLFP-S5 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件页数： | 19/37页 |
| 文件大小： | 539K |
| 代理商： | HY5PS1G831CLFP-S5 |
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Rev. 0.2 / Dec 2006
19
HY5PS1G431C(L)FP
HY5PS1G831C(L)FP
HY5PS1G1631C(L)FP
For purposes of IDD testing, the following parameters are to be utilized
Detailed IDD7
The detailed timings are shown below for IDD7. Changes will be required if timing parameter changes are made to the
specification.
Legend: A = Active; RA = Read with Autoprecharge; D = Deselect
IDD7: Operating Current: All Bank Interleave Read operation
All banks are being interleaved at minimum tRC(IDD) without violating tRRD(IDD) using a burst length of 4. Control and
address bus inputs are STABLE during DESELECTs. IOUT = 0mA
Timing Patterns for 4 bank devices x4/ x8/ x16
-DDR2-400 4/4/4: A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 D D D D D
-DDR2-400 3/3/3: A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 D D D D
-DDR2-533 5/4/4: A0 RA0 D A1 RA1 D A2 RA2 D A3 RA3 D D D D D
-DDR2-533 4/4/4: A0 RA0 D A1 RA1 D A2 RA2 D A3 RA3 D D D D D
Timing Patterns for 8 bank devices x4/8
-DDR2-400 all bins: A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 A4 RA4 A5 RA5 A6 RA6 A7 RA7
-DDR2-533 all bins: A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 D D A4 RA4 A5 RA5 A6 RA6 A7 RA7 D D
Timing Patterns for 8 bank devices x16
-DDR2-400 all bins: A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 D D A4 RA4 A5 RA5 A6 RA6 A7 RA7 D D
-DDR2-533 all bins: A0 RA0 D A1 RA1 D A2 RA2 D A3 RA3 D D D A4 RA4 D A5 D A6 RA6 D A7 RA7 D D D
DDR2-800
DDR2-
667
DDR2-
533
DDR2-
400
Parameter
5-5-5
6-6-6
5-5-5
4-4-4
3-3-3
Units
CL(IDD)
5
6
5
4
3
tCK
tRCD(IDD)
12.5
15
15
15
15
ns
tRC(IDD)
57.5
60
60
60
55
ns
tRRD(IDD)-x4/x8
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
ns
tRRD(IDD)-x16
10
10
10
10
10
ns
tCK(IDD)
2.5
2.5
3
3.75
5
ns
tRASmin(IDD)
45
45
45
45
40
ns
tRASmax(IDD)
70000
70000
70000
70000
70000
ns
tRP(IDD)
12.5
15
15
15
15
ns
tRFC(IDD)-256Mb
75
75
75
75
75
ns
tRFC(IDD)-512Mb
105
105
105
105
105
ns
tRFC(IDD)-1Gb
127.5
127.5
127.5
127.5
127.5
ns
tRFC(IDD)-2Gb
197.5
197.5
197.5
197.5
197.5
ns
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| HY5PS1G831F-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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| HY5PS1G831F-E3 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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