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参数资料
| 型号： | HZK4B |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | LLD, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | HZK4B |
HZK Series
5
10
8
6
4
2
0
4
8
12
16
20
Zener
Current
I
Z
(mA)
Zener Voltage V
Z (V)
HZK4
HZK5
HZK6
HZK3
24
28
32
40
36
HZK7
HZK16
HZK12
HZK15
HZK18
HZK11
HZK9
HZK2
HZK20
HZK27
HZK22
HZK24
HZK33
HZK36
HZK30
Fig.1 Zener current Vs. Zener voltage
05
10
15 20 25 30 35 40
Zener Voltage V (V)
Zener
Voltage
Temperature
Coefficient
(%/
°C)
zγ
50
40
30
20
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
–0.02
–0.04
–0.06
–0.08
–0.10
Z
Zener
Voltage
Temperature
Coefficient
(mV/
°C)
zγ
%/
°C
mV/
°C
Fig.2 Temperature Coefficient Vs. Zener voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS9C2 | 9.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| HZS5B1 | 4.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| IBM0418A86LQKA-6 | 512K X 18 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| IBM04364ARLAD-5N | 128K X 36 STANDARD SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| IBM13N4649CC-10T | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, DMA168 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HZK4BLL | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Hard Knee Low Noise |
| HZK4BTR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:HZK4BTR-E - Tape and Reel |
| HZK4BTR-S-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Diode Zener Single 3.9V 5% 500mW 2-Pin LLD T/R |
| HZK4C | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply |
| HZK4CLL | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Hard Knee Low Noise |
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