IX2203

配单专家企业名单

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说明
操作

IX2203VA-T4(CXA3233N)
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
SONY
NULL
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

IX2203VA-T4(CXA3233N)
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
10000
SONY
SSOP
2012+
-
只做原装正品。

IX2203VA-T4
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SONY
SSOP
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

IX2203VA-T4(CXA3233N)
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
SONY
98
18+
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优势库存，原装现货

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IX2203 技术参数

IX21844N 功能描述:IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:同步驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:23ns，14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:14-SOIC 标准包装:50 IX2127NTR 功能描述:IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:* 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IX2127N 功能描述:IC HIGH SIDE DRIVER 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立输入类型:非反相延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) IX2127G 功能描述:IC HIGH SIDE DRIVER 8DIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:半桥输入类型:PWM 延迟时间:25ns 电流 - 峰:1.6A 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:118V 电源电压:9 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件产品目录页面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M IX2120BTR 功能描述:1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:15 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:9.4ns，9.7ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:28-SOIC 标准包装:1 IX2C11S1 IX2C11S1T/R IX2D11P7 IX2D11S7 IX2D11S7T/R IX2R11M6 IX2R11M6T/R IX2R11P7 IX2R11S3 IX2R11S3T/R IX3120G IX3120GE IX3120GES IX3120GESTR IX3120GS IX3120GSTR IX3180G IX3180GS