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参数资料
| 型号： | IBM0116160B |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8的DRAM（1,600位动态随机存储器（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 4/27页 |
| 文件大小： | 489K |
| 代理商： | IBM0116160B |
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IBM0116160
IBM0116160B
1M x 16 12/8 DRAM
IBM0116160M
IBM0116160P
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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43G9618
SA14-4207-06
Revised 4/97
Truth Table
Function
RAS
LCAS
UCAS
WE
OE
Row
Address
Column
Address
I/O0 - I/O15
Standby
H
H
→
X
H
→
X
X
X
X
X
High Impedance
Read: Word
L
L
L
H
L
Row
Col
Data Out
Read: Lower Byte
L
L
H
H
L
Row
Col
Lower Byte: Data Out
Upper Byte: High-Z
Read: Upper Byte
L
H
L
H
L
Row
Col
Lower Byte: High-Z
Upper Byte: Data Out
Write: Word
Early-Write
L
L
L
L
X
Row
Col
Data In
Write: Lower Byte
Early-Write
L
L
H
L
X
Row
Col
Lower Byte: Data In
Upper Byte: High-Z
Write: Upper Byte
Early-Write
L
H
L
L
X
Row
Col
Lower Byte: High-Z
Upper Byte: Data In
Read-Modify-Write
L
L
L
H
→
L
L
→
H
Row
Col
Data Out, Data In
Fast Page Mode
Read
1st Cycle
L
H
→
L
H
→
L
H
L
Row
Col
Data Out
2nd Cycle
L
H
→
L
H
→
L
H
L
N/A
Col
Data Out
Fast Page Mode
Write
1st Cycle
L
H
→
L
H
→
L
L
X
Row
Col
Data In
2nd Cycle
L
H
→
L
H
→
L
L
X
N/A
Col
Data In
Fast Page Mode
Read-Modify-Write
1st Cycle
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
L
→
H
Row
Col
Data Out, Data In
2nd Cycle
L
H
→
L
H
→
L
H
→
L
L
→
H
N/A
Col
Data Out, Data In
RAS-Only Refresh
L
H
H
X
X
Row
N/A
High Impedance
CAS-Before-RAS Refresh
H
→
L
L
L
H
X
X
N/A
High Impedance
Hidden Refresh
Read
L
→
H
→
L
L
L
H
L
Row
Col
Data Out
Write
L
→
H
→
L
L
L
L
→
H
X
Row
Col
Data In
Self Refresh (LP version only)
H
→
L
L
L
H
X
X
X
High Impedance
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IBM0116160M | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
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