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参数资料
| 型号： | IBM0116160M |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8的DRAM（1,600位动态随机存储器（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 13/27页 |
| 文件大小： | 489K |
| 代理商： | IBM0116160M |
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IBM0116160
IBM0116160B IBM0116160P
1M x 16 12/8 DRAM
IBM0116160M
43G9618
SA14-4207-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Write Cycle (Early Write)
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Address
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Hi-Z
: “H” or “L”
Valid Data In
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WCH
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DS
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DH
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CAS
t
RSH
t
WP
LCAS
UCAS
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116160P | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165 | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165B | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165M | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165P | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116165BJ3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0218 |
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
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