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参数资料
| 型号： | IBM0116160P |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8的DRAM（1,600位动态随机存储器（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 2/27页 |
| 文件大小： | 489K |
| 代理商： | IBM0116160P |
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IBM0116160
IBM0116160B
1M x 16 12/8 DRAM
IBM0116160M
IBM0116160P
IBM Corporation. All rights reserved.
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43G9618
SA14-4207-06
Revised 4/97
Ordering Information
Part Number
SP / LP
Self Refresh
Power Supply
Speed
Package
Notes
IBM0116160T3 -50
SP
No
5.0V
50ns
400mil TSOP-II 50/44
1
IBM0116160T3 -60
SP
No
5.0V
60ns
400mil TSOP-II 50/44
1
IBM0116160BT3 -50
SP
No
3.3V
50ns
400mil TSOP-II 50/44
1
IBM0116160BT3 -60
SP
No
3.3V
60ns
400mil TSOP-II 50/44
1
IBM0116160J3 -50
SP
No
5.0V
50ns
400mil SOJ 42/42
1
IBM0116160J3 -60
SP
No
5.0V
60ns
400mil SOJ 42/42
1
IBM0116160BJ3 -50
SP
No
3.3V
50ns
400mil SOJ 42/42
1
IBM0116160BJ3 -60
SP
No
3.3V
60ns
400mil SOJ 42/42
1
IBM0116160MT3 -50
LP
Yes
5.0V
50ns
400mil TSOP-II 50/44
1
IBM0116160MT3 -60
LP
Yes
5.0V
60ns
400mil TSOP-II 50/44
1
IBM0116160PT3 -50
LP
Yes
3.3V
50ns
400mil TSOP-II 50/44
1
IBM0116160PT3 -60
LP
Yes
3.3V
60ns
400mil TSOP-II 50/44
1
IBM0116160MJ3 -50
LP
Yes
5.0V
50ns
400mil SOJ 42/42
1
IBM0116160MJ3 -60
LP
Yes
5.0V
60ns
400mil SOJ 42/42
1
IBM0116160PJ3 -50
LP
Yes
3.3V
50ns
400mil SOJ 42/42
1
IBM0116160PJ3 -60
LP
Yes
3.3V
60ns
400mil SOJ 42/42
1
1. SP = Standard Power version (IBM0116160 and IBM0116160B); LP = Low Power version (IBM0116160M and IBM00116160P)
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IBM0116165B | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165M | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165P | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
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