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参数资料
| 型号： | IBM0116165M |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 14/31页 |
| 文件大小： | 553K |
| 代理商： | IBM0116165M |
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IBM0116165
IBM0116165B
1M x 16 12/8 EDO DRAM
IBM0116165M
IBM0116165P
IBM Corporation. All rights reserved.
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28H4723
SA14-4225-06
Revised 4/97
Write Cycle (Delayed Write)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Address
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
OE
V
IH
V
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V
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V
IL
D
OUT
V
OH
V
OL
D
IN
Row
Column
t
RAS
t
RP
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CAS
t
CSH
t
CRP
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RAH
t
ASC
t
CAH
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ASR
t
RAD
t
RWL
: “H” or “L”
t
WP
t
CWL
Valid Data In
Hi-Z
Hi-Z
t
DZO
t
OEZ
t
CLZ
t
DS
t
RCD
t
DH
t
RCS
*
*t
OEH
greater than or equal to t
CWL
Hi-Z
t
RSH
t
DZC
t
OEA
t
OEH
t
OED
UCAS
LCAS
t
WRP
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116165P | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116405 | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405B | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405M | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405P | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
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