- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378599 > IBM0116405B (IBM Microeletronics) 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IBM0116405B |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 12月10日EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 1/31页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IBM0116405B |
当前第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页
IBM0116405
IBM0116405B IBM0116405P
4M x 4 12/10 EDO DRAM
IBM0116405M
28H4720
SA14-4226-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 1 of 31
Features
4,194,304 word by 4 bit organization
Single 3.3V
±
0.3V or 5.0V
±
0.5V power supply
Standard Power (SP) and Low Power (LP)
4096 Refresh Cycles
- 64 ms Refresh Rate (SP version)
- 256 ms Refresh Rate (LP version)
High Performance:
-50
-60
Units
t
RAC
RAS Access Time
50
60
ns
t
CAC
CAS Access Time
13
15
ns
t
AA
Column Address Access Time
25
30
ns
t
RC
Cycle Time
84
104
ns
t
HPC
EDO (Hyper Page) Mode Cycle Time
20
25
ns
Low Power Dissipation
- Active (max) - 55 mA / 50 mA
- Standby: TTL Inputs (max) - 1.0 mA
- Standby: CMOS Inputs (max)
- 1.0 mA (SP version)
- 0.1 mA (LP version)
- Self Refresh (LP version only)
- 200
μ
A (3.3 Volt)
- 300
μ
A (5.0 Volt)
Extended Data Out (Hyper Page) Mode
Read-Modify-Write
RAS Only and CAS before RAS Refresh
Hidden Refresh
Package: SOJ 26/24 (300milx675mil)
TSOP-26/24 (300milx675mil)
Description
The IBM0116405 is a dynamic RAM organized
4,194,304 words by 4 bits, which has a very low
“sleep mode” power consumption option. These
devices are fabricated in IBM’s advanced 0.5
μ
m
CMOS silicon gate process technology. The circuit
and process have been carefully designed to pro-
vide high performance, low power dissipation, and
high reliability. The devices operate with a single
3.3V
±
0.3V or 5.0V
±
0.5V power supply. The 22
addresses required to access any bit of data are
multiplexed (12 are strobed with RAS, 10 are
strobed with CAS).
Pin Assignments
(Top View)
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
Vss
I/O3
I/O2
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
Vcc
I/O0
I/O1
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
Vcc
Pin Description
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
WE
Read/Write Input
A0 - A11
Address Inputs
OE
Output Enable
I/O0 - I/O3
Data Input/Output
V
CC
Power (+3.3V or +5.0V)
V
SS
Ground
IBM01164054M x 412/10, 5.0V, EDOMMDD62DSU-001015231. IBM0116405P4M x 412/10, 3.3V, EDO, LP, SRMMDD62DSU-001015231. IBM0116405M4M x 412/10, 5.0V, EDO, LP, SRMMDD62DSU-001015231. IBM0116405B4M x 412/10, 3.3V, EDOMMDD62DSU-001015231.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116405M | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405P | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117405 | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405B | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405M | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。