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参数资料
| 型号： | IBM0116405B |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 12月10日EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 29/31页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IBM0116405B |
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IBM0116405
IBM0116405B IBM0116405P
4M x 4 12/10 EDO DRAM
IBM0116405M
28H4720
SA14-4226-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Package Dimensions
(300 mil; 26/24 lead; Thin Small Outline Package)
NOTE:
All dimensions are in millimeters
;
Package diagrams are not drawn to scale.
17.14
1.27 Basic
Detail A
0.25 Basic
Gage Plane
0.5
±
0.1
Lead #1
Detail A
7
9
0.40
±
0.10
0.05
1
0.125- 0.005
0.10
0
±
±
0.95 REF
0.10
Seating Plane
+0.10
-0.00
1.00
±
0.05
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116405M | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405P | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117405 | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405B | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405M | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
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