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参数资料
| 型号： | IBM0116405M |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 12月10日EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 24/31页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IBM0116405M |
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IBM0116405
IBM0116405B
4M x 4 12/10 EDO DRAM
IBM0116405M
IBM0116405P
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28H4720
SA14-4226-06
Revised 4/97
CAS Before RAS Refresh Cycle
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
D
IN
V
OH
V
OL
t
RAS
t
RP
OE
V
IH
V
IL
D
OUT
V
OH
V
OL
Hi-Z
: “H” or “L”
t
OFF
t
OEZ
Hi-Z
t
OED
t
CHR
RC
t
t
WRH
t
WRP
t
NOTE: Address is “H” or “L”
RPC
t
CP
t
CDD
CAS
t
RPC
t
CSR
t
WRH
t
WRP
t
CSR
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116405P | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117405 | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405B | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405M | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405P | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
| IBM0117400J1F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0094 |
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