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参数资料
| 型号： | IBM0116405M |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 12月10日EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 27/31页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IBM0116405M |
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IBM0116405
IBM0116405B IBM0116405P
4M x 4 12/10 EDO DRAM
IBM0116405M
28H4720
SA14-4226-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Self Refresh Cycle (Sleep Mode)
- Low Power version only
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
t
RASS
t
RPS
t
CRP
D
OUT
V
OH
V
OL
Hi-Z
: “H” or “L”
t
OFF
t
CP
t
CSR
t
WRH
t
WRP
t
RPC
CAS
t
CHD
t
CHS
NOTES:
1. Address and OE are “H” or “L”
2. Once RAS (min) is provided and RAS remains low, the DRAM
will be in Self Refresh, commonly known as “Sleep Mode.”
3. If t
RASS
> t
CHD
(min) then t
CHD
applies.
If t
RASS
≤
t
CHD
(min) then t
CHS
applies.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116405P | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117405 | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405B | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405M | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405P | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
| IBM0117400J1F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0094 |
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