型号: | IBM0116405P |
厂商: | IBM Microeletronics |
英文描述: | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带22条地址线,其中12条为行地址选通,10条为列地址选通)) |
中文描述: | 4米× 4 12月10日EDO公司的DRAM(1,600位动态随机存储器(超页面模式读写并带22条地址线,其中12条为行地址选通,10条为列地址选通)) |
文件页数: | 18/31页 |
文件大小: | 556K |
代理商: | IBM0116405P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IBM0117405 | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带22条地址线,其中11条为行地址选通,11条为列地址选通)) |
IBM0117405B | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带22条地址线,其中11条为行地址选通,11条为列地址选通)) |
IBM0117405M | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带22条地址线,其中11条为行地址选通,11条为列地址选通)) |
IBM0117405P | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带22条地址线,其中11条为行地址选通,11条为列地址选通)) |
IBM0117805 | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通)) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
IBM0117400J1F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0094 |