- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378599 > IBM0117405P (IBM Microeletronics) 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IBM0117405P |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 11/11 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 2/31页 |
| 文件大小： | 545K |
| 代理商： | IBM0117405P |
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IBM0117405
IBM0117405B
4M x 4 11/11 EDO DRAM
IBM0117405M
IBM0117405P
IBM Corporation. All rights reserved.
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28H4726
SA14-4228-05
Revised 4/97
Ordering Information
Part Number
SP / LP
Self Refresh
Power Supply
Speed
Package
Notes
IBM0117405T1 -50
SP
No
5.0V
50ns
300mil TSOP-II 26/24
1
IBM0117405T1 -60
SP
No
5.0V
60ns
300mil TSOP-II 26/24
1
IBM0117405BT1 -50
SP
No
3.3V
50ns
300mil TSOP-II 26/24
1
IBM0117405BT1 -60
SP
No
3.3V
60ns
300mil TSOP-II 26/24
1
IBM0117405J1 -50
SP
No
5.0V
50ns
300mil SOJ 26/24
1
IBM0117405J1 -60
SP
No
5.0V
60ns
300mil SOJ 26/24
1
IBM0117405BJ1 -50
SP
No
3.3V
50ns
300mil SOJ 26/24
1
IBM0117405BJ1 -60
SP
No
3.3V
60ns
300mil SOJ 26/24
1
IBM0117405MT1 -50
LP
Yes
5.0V
50ns
300mil TSOP-II 26/24
1
IBM0117405MT1 -60
LP
Yes
5.0V
60ns
300mil TSOP-II 26/24
1
IBM0117405PT1 -50
LP
Yes
3.3V
50ns
300mil TSOP-II 26/24
1
IBM0117405PT1 -60
LP
Yes
3.3V
60ns
300mil TSOP-II 26/24
1
IBM0117405MJ1 -50
LP
Yes
5.0V
50ns
300mil TSOJ 26/24
1
IBM0117405MJ1 -60
LP
Yes
5.0V
60ns
300mil TSOJ 26/24
1
IBM0117405PJ1 -50
LP
Yes
3.3V
50ns
300mil TSOJ 26/24
1
IBM0117405PJ1 -60
LP
Yes
3.3V
60ns
300mil TSOJ 26/24
1
1. SP = Standard Power version (IBM0117405 and IBM0117405B); LP = Low Power version (IBM0117405M and IBM00117405P)
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0117805 | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805B | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805M | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805P | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IBM011816DT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:28H4998 |
| IBM0164405BT3D50 | 制造商:IBM 功能描述:20L9262 |
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
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