- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378599 > IBM0117405P (IBM Microeletronics) 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IBM0117405P |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 11/11 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 9/31页 |
| 文件大小： | 545K |
| 代理商： | IBM0117405P |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页当前第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页
IBM0117405
IBM0117405B IBM0117405P
4M x 4 11/11 EDO DRAM
IBM0117405M
28H4726
SA14-4228-05
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 9 of 31
Read Cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
RAC
Access Time from RAS
—
50
—
60
ns
1, 2, 3
t
CAC
Access Time from CAS
—
13
—
15
ns
1, 3
t
AA
Access Time from Address
—
25
—
30
ns
2, 3
t
OEA
Access Time from OE
—
13
—
15
ns
3
t
RCS
Read Command Setup Time
0
—
0
—
ns
t
RCH
Read Command Hold Time to CAS
0
—
0
—
ns
4
t
RRH
Read Command Hold Time to RAS
0
—
0
—
ns
4
t
RAL
Column Address to RAS Lead Time
25
—
30
—
ns
t
CLZ
CAS to Output in Low-Z
0
—
0
—
ns
3
t
OFF
Output Buffer Turn-Off Delay
—
13
—
15
ns
5, 6
t
CDD
CAS to D
IN
Delay Time
13
—
15
—
ns
7
t
OEZ
Output Buffer Turn-Off Delay from OE
—
13
—
15
ns
5
t
OES
OE Setup Time Prior to CAS
5
—
5
—
ns
t
ORD
OE Setup Time Prior to RAS (Hidden Refresh)
0
—
0
—
ns
1. Operation within the t
RCD
(max.) limit ensures that t
RAC
(max.) can be met. t
RCD
(max.) is specified as a reference point only. If t
RCD
is greater than the specified t
RCD
(max.) limit, then access time is controlled by t
CAC
.
2. Operation within the t
RAD
(max.) limit ensures that t
RAC
(max.) can be met. t
RAD
(max.) is specified as a reference point only. If t
RAD
is
greater than the specified t
RAD
(max.) limit, then access time is controlled by t
AA
.
3. Measured with the specified current load and 100pF at V
OL
= 0.8V and V
OH
= 2.0V.
4. Either t
RCH
or t
RRH
must be satisfied for a read cycle.
5. t
OFF
(max) and t
OEZ
(max) define the time at which the output achieves the open circuit condition and are not referenced to output
voltage levels.
6. t
OFF
is referenced from the rising edge of RAS or CAS, which ever is last.
7. Either t
CDD
or t
OED
must be satisfied.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0117805 | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805B | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805M | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805P | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160 | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0118160J3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H057 |
| IBM0118165PT3E6R | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM011816DT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:28H4998 |
| IBM0164405BT3D50 | 制造商:IBM 功能描述:20L9262 |
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。