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1N5406BRLG

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1N5406BRLG 技术参数
  • 1N5406-B 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 1N5406 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5405-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):500V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 500V 不同?Vr,F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1,400 1N5405 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):500V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 500V 不同?Vr,F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 1N5404-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:40pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5406GHB0G 1N5406GHR0G 1N5406GP-E3/54 1N5406GP-TP 1N5406G-T 1N5406RL 1N5406RLG 1N5406-T 1N5406TA 1N5406T-G 1N5406-TP 1N5407 1N5407-B 1N5407-E3/51 1N5407-E3/54 1N5407-E3/73 1N5407G 1N5407-G
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