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1SS417FN2

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1SS417FN2 技术参数

1SS417CT,L3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:620mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，扁平引线供应商器件封装:fSC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS417,L3M 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:620mV @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，扁平引线供应商器件封装:fSC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS416CT,L3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，扁平引线供应商器件封装:fSC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS416,L3M 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，扁平引线供应商器件封装:fSC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS413CT,L3F 功能描述:DIODE SW SCHOTT 20V 50MA CST2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:50mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:3.9pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:SOD-882 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 1SV249-TL-E 1SV250-TB-E 1SV251-TB-E 1SV263-TL-E 1SV264-TL-E 1SV267-TB-E 1SV270TPH3F 1SV277TPH3F 1SV279,H3F 1SV279TH3FT 1SV280,H3F 1SV281(TPH3,F) 1SV281TH3FT 1SV282TPH3F 1SV285TPH3F 1SV304TPH3F 1SV305,H3F 1SV307(TPH3,F)